EX1,EX3 使用 創見class6 SDHC 會產生Error可能的原因是,他是MLC架構
SDHC卡 SLC(GOOD,9MB/s 以上) 與 MLC(便宜,1.5MB/s 以上) 的差異http://www.digital.idv.tw/DIGITAL/Classroom/MROH-CLASS/oh50/index-oh50.htm
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SLC 與 MLC 的差異[*]
做了記憶卡市場研究的同學提到了一個非常有趣的問題！為什麼有些記憶卡的包裝上標示了『 SLC Flash inside!』（見上圖）？難道 Flash 還有等級之分嗎？確實！以 NAND 為基礎的 Flash 存在著兩種不同的作業模式，最早被開發出來的是 MLC 由著名的 英代爾 Intel在1997年9月開發成功。MLC 可以一次將兩個位元的資訊存入一個 Floating Gate之中，Floating Gate 就是快閃記憶體中用於存放電荷的部分。透過不同的電荷數量，MLC 能夠呈現出4種不同的存儲狀態，每種狀態代表兩個二進位數字值（00、01、10與11），由於這個特性稱為 Multi Level Cell，也就是 MLC 的簡稱。
項目
Samsung（SLC）
Toshiba（MLC）
使用壽命
存取壽命長
可存取1萬次
寫入速度
9MB/s
以上
1.5MB/s 以上
工作電壓
3.3V/1.8V
3.3V
封裝技術
可配合其他技術 設計一體成型
塑膠組裝
MLC 的 Floating Gate 需要特殊的材質與製程，也因此一直到了2000年初韓國 Samsung 公司才開發出商品化的 SLC 256MB 顆粒。相較於 MLC，SLC 一次只儲存一組位元，也就是（0、1），不僅程序簡單的多，效能、速度和壽命都有很大的進步。SLC 採用 0.21μ製程，到了2002年初 Samsung 已經有能力製作出 1GB / 0.13μ製程的產品。不過，MLC 也一直在跟著演進，特別是其技術成熟、單價較低，2002年中 Toshiba 推出了同為 1GB / 0.16 μ製程的產品，也同時吸引了 Samsung 的注意，並開始研究試產 MLC 的可能性。截至 2004年為止，SLC 的技術仍領先 MLC 6～9個月，2GB / 0.09 μ製程的 SLC 已經接近商品化的階段；MLC 則也有 2GB/ 0.13μ製程的產品對應。整體來說，SLC 與 MLC 的對比，也大致如上表所示，存在著性能上的差距，但也因為如此，兩者的價格也不相同，讓市場機制去自由決定。 創見 class6 SDHC SLC架構的Flash卡是黃色的
目前CLASS6 只有 4G 和 8G
这个。。。。没有绝对
以前用FUJI S3 PRO，在大陆无忌区就有人反映创见的CF卡有问题，所以一直没有用创见的卡 創建卡用在EX系列上真是超級不好用，之前資訊真的有問題，若不怕麻煩和不怕資料流失，可以試試！
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