工業等級 SLC NAND flash SD,CF記憶卡, ExpressCard 轉接卡

daren · 發表於 2010-6-4 15:33:53

馬上註冊，結交更多好友，享用更多功能，讓你輕鬆玩轉社區。

您需要登錄才可以下載或查看，沒有賬號？註冊

x

本文章最後由 daren 於 2010-7-5 07:48 編輯

在這次Computex 看到些有趣的產品,PRETEC 的工業等級 SLC NAND flash SDXC,CF記憶卡, ExpressCard 轉接卡,對攝影機,DSLR有應用的應該是這些產品. 值得來研究評測.

工業等級 SLC NAND flash SD記憶卡
http://www.pretec.com/index.php?option=com_zoo&view=item&category_id=17&item_id=354&Itemid=189

一般SD,CF記憶卡都是用MLC NAND flash, 價格因素
即使最貴的 Sandisk Extreme 也沒標示是 SLC or MLC NAND flash
SLC架構可以存取10萬次，而MLC架構只能承受约1萬次的存取。速度也有很大差別.
且一般SD,CF記憶卡內部的 control IC , MLC NAND flash 每批都是不一樣的,無法確定每批軔體. 工業等級 SLC NAND flash SD記憶卡每一批control IC , SLC NAND flash都是一樣的,可確保品質來源.

Expresscard SDXC reader
http://www.pretec.com/index.php?option=com_zoo&view=item&category_id=15&item_id=352&Itemid=186

不知道這個與SONY SXS卡的相容性為何

有稍微跟Pretec 的PM聊一聊,可以約個時間拿機器過去實測相容性,

轉貼*NAND Flash SLC、MLC技術解析
http://stenlyho.blogspot.com/2008/08/nand-flash-slcmlc.html

什麽是SLC？
SLC英文全稱(Single Level Cell——SLC)即單層式儲存。主要由三星(samsung)、海力士(Hynix)、美光(Micron)、東芝(toshiba)等使用。

SLC技術特點是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄，在寫入數據時通過對浮置閘極的電荷加電壓，然後透過源極，即可將所儲存的電荷消除，通過這様的方式，便可儲存1個信息單元，這種技術能提供快速的程序編程與讀取，不過此技術受限于Silicon efficiency的問題，必須要由較先進的流程强化技術(Process enhancements)，才能向上提升SLC制程技術。

什麽是MLC？
MLC英文全稱（Multi Level Cell——MLC)即多層式儲存。主要由東芝、Renesas、三星使用。
英特爾（Intel）在1997年9月最先開發成功MLC，其作用是將兩個單位的信息存入一個Floating Gate（Flash Memory存儲單元中存放電荷的部分），然後利用不同電位（Level）的電荷，通過内存儲存的電壓控制精准讀寫。MLC通過使用大量的電壓等級，每一個單元儲存兩位數據，數據密度比較大。SLC架構是0和1兩個值，而MLC架構可以一次儲存4個以上的值，因此，MLC架構可以有比較好的儲存密度。

SLC比較MLC的優勢：
目前市場主要以SLC和MLC儲存為主，我們多了解下SLC和MLC儲存。SLC架構是0和1兩個值，而MLC架構可以一次儲存4個以上的值，因此MLC架構的儲存密度較高，並且可以利用老舊的生産程備來提高産品的容量，無須額外投資生産設備，擁有成本與良率的優勢。
與SLC相比較，MLC生産成本較低，容量大。如果經過改進，MLC的讀寫性能應該還可以進一步提升。

SLC比較MLC的缺點：
MLC架構有許多缺點，首先是使用夀命較短，SLC架構可以存取10萬次，而MLC架構只能承受约1萬次的存取。
其次就是存取速度慢，在目前技術條件下，MLC晶片理論速度只能達到2MB左右。SLC架構比MLC架構要快速三倍以上。
再者，MLC能耗比SLC高，在相同使用條件下比SLC要多15%左右的電流消耗。
雖然與SLC相比，MLC缺點很多，但在單顆晶片容量方面，目前MLC還是占了絶對的優勢。由于MLC架構和成本都具有絶對優勢，能滿足未來2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市場需求。