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一直以来，Intel都在严格按照“TICK-TOCK”策略研发新产品，目前Intel的全线产品开始转向32nm制程，制程的更新可以带来更低功耗和发热量，而且可以塞进更多的晶体管，有消息称Intel将在2016年更新制程至11nm。
但是也并不是制程可以无限更新的，随着制程更新，栅氧化层厚度将不断减小，这时栅极漏电流迅速增加，情况会非常糟糕。我们都知道在超频时，如果CPU在某一频率下不稳定可以适当升高电压来缓解这一情况，但是CPU是在一定的电压区间工作的，提高的电压仅仅是弥补漏电造成的电压损失，如果过度提高电压不仅会使漏电情况加剧，从而导致高耗电和高发热，还会造成栅氧化层被击穿从而造成CPU烧毁。
有研究表明，如果制程更新到10nm，栅电流将随时间的变化先降低然后突然增加，栅氧化层在电场作用下产生可以俘获电子的陷阱，电子不断被俘获会造成阳极电场不断增加，当电场增大到某临界值时，氧化层会被击穿。而届时Intel如何解决这一难题呢 |
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狗仔卡
發表於 2011-4-3 22:02:43
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